Pat

J-GLOBAL ID：200903091456921958

半導体レーザ

Inventor： 菅生 繁男
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992200520
Publication number (International publication number)：1994021572
Application date： Jul. 02, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明による半導体レーザはクラッド層と電極との間に接触抵抗の小さくできる接合層を有するために、接触抵抗による発熱の問題のない半導体レーザを提供することにある。【構成】 本発明の半導体レーザは、第2クラッド層13と第2導電形電極15との間に接触抵抗低減のために、第1接合層17(窒素ドープZn0.25Cd0.75S、厚さ0.1μm)及び第2接合層18(窒素ドープZn0.25Hg0.75S、厚さ0.1μm)を設けている。そのため、禁制帯幅を小さくでき、しかも、基板の格子定数との不整合による欠陥が生じない材料を接合層にする事によって接触抵抗を低減できる。第2接合層の禁制帯幅が基板の砒化ガリウム程度に小さいため1018cm-3程度のドーピング濃度でも低い接触抵抗が期待できる。この場合、第1接合層、第2接合層ともにII族成分組成の亜鉛割合が約25%で基板に格子整合した組成を得ることができるため、格子歪による転位欠陥が生じない。

Claim (excerpt)：

発光層並びにこの発光層を挟む下側の第1導電形クラッド層及び上側の第2導電形クラッド層がカドミウム、亜鉛、硫黄及びセレンの4種類の元素からなるII-VI族化合物半導体レーザにおいて、前記第2導電形クラッド層と電極との間に亜鉛、カドミウム及び硫黄からなる第1接合層、亜鉛、水銀及び硫黄からなる第2接合層を有することを特徴とする半導体レーザ。