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J-GLOBAL ID：200903091458597082

樹脂封止型半導体装置

Inventor：
内田 健

About 内田 健

, 
鈴木 清昭

About 鈴木 清昭


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244864
Publication number (International publication number)：1994097325
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】成形時の作業性が良好であり、硬化時の熱放散性に優れ、他の特性をも兼ね備えた、エポキシ樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなる、高信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】エポキシ樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなる。当該樹脂組成物は、(a)エポキシ樹脂と、(b)硬化剤と、(c)硬化促進剤と、(d)平均粒径が5〜40μm であり、外周面が連続面のみで形成されている無機粉末と、(e)平均粒径が前記成分(d)の平均粒径より小さく0.1〜10μm であり、熱伝導率が4.0 W/m・K 以上である無機粉末とを必須成分として含有し、且つ前記成分(d)と成分(e)の総配合量中成分(d)の配合量が10〜50体積%であることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
エポキシ樹脂組成物によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、該樹脂組成物が、(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤、(d)平均粒径が5〜40μm であり、外周面が連続面のみで形成されている無機粉末、および(e)平均粒径が前記成分(d)の平均粒径より小さく0.1〜10μm であり、熱伝導率が4.0 W/m・K 以上である無機粉末、を必須成分として含有し、且つ前記成分(d)と成分(e)の総配合量中成分(d)の配合量が10〜50体積%であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (4)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 NKT
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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