Pat

J-GLOBAL ID：200903091464720201

窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法

Inventor： 中村 修二 ,  向井 孝志
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993106554
Publication number (International publication number)：1994196755
Application date： May. 07, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高品質で結晶性に優れた窒化インジウムガリウム半導体、およびその成長方法を提供する。【構成】 原料ガスとしてガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスと、ケイ素源のガスまたはゲルマニウム源のガスとを用い、さらに前記原料ガスのキャリアガスを窒素として、600°Cより高い成長温度で、窒化ガリウムまたは窒化ガリウムアルミニウムの上に、SiまたはGeをドープした一般式In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させる。

Claim (excerpt)：

一般式In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但しXは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体にSiまたはGeがドープされていることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-203388
  
• 特開平4-068579
  
• 特開平3-252175
  
• 特開平4-163969