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J-GLOBAL ID：200903091465073773

ダミーウェハ

Inventor： 佐々 一治 ,  宮崎 晃 ,  天野 正実
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 田辺 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992103887
Publication number (International publication number)：1993283306
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【構成】 半導体プロセスにおいて使用されるダミーウェハにおいて、珪素含浸の炭化珪素からなる基材の表面にアルミナとシリカからなるCVDコーティング膜が設けられており、CVDコーティング膜の全膜厚が20〜200μmであり、最内層はアルミナ含有率が50〜75重量%で、シリカ含有率が25〜50重量%であり、最外層はアルミナ含有率が90〜100重量%で、シリカ含有率が0〜10重量%であることを特徴とするダミーウェハ。【効果】 IC製造工程において、ダミーウェハの被膜に亀裂と剥離が発生することを抑止する。

Claim (excerpt)：

半導体プロセスにおいて使用されるダミーウェハにおいて、珪素含浸の炭化珪素からなる基材の表面にアルミナとシリカからなるCVDコーティング膜が設けられており、CVDコーティング膜の全膜厚が20〜200μmであり、最内層は、アルミナ含有率が50〜75重量%で、シリカ含有率が25〜50重量%であり、最外層は、アルミナ含有率が90〜100重量%で、シリカ含有率が0〜10重量%であることを特徴とするダミーウェハ。