Pat

J-GLOBAL ID：200903091468076641

成膜方法

Inventor： 山▲崎▼ 英亮 ,  波多野 達夫 ,  松田 司 ,  池田 太郎 ,  中村 和仁 ,  松澤 興明 ,  河野 有美子 ,  立花 光博
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002205516
Publication number (International publication number)：2004043928
Application date： Jul. 15, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【課題】金属カルボニル原料を使って絶縁膜上に金属膜をCVD法により堆積する成膜方法において、堆積開始時のインキュベーション時間を解消する。【解決手段】堆積開始に先立って、被処理基板表面近傍の空間に金属カルボニル原料を第1の分圧で供給することにより核生成を行ない、次いで前記金属カルボニル原料をより低い第2の分圧で供給し、金属膜の堆積を行う。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

金属カルボニル化合物を原料とする金属膜の成膜方法であって、 (A)金属カルボニル化合物を含む気相原料を被処理基板表面近傍の空間に、前記金属カルボニル化合物の分圧を第1の分圧に設定して導入する工程と、 (B)前記工程(A)の後、前記金属カルボニル化合物を含む気相原料を前記被処理基板表面の空間に、前記金属カルボニル化合物の分圧を第2のより低い分圧に設定して導入し、前記被処理基板表面に金属膜を堆積する工程とよりなり、前記工程(A)は、前記被処理基板上に前記金属膜の実質的な堆積が生じないように実行されることを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

C23C16/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

FI (3)：

C23C16/16 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C

F-Term (13)：

4K030AA12 ,  4K030BA01 ,  4K030BA05 ,  4K030BA12 ,  4K030BA20 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45