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J-GLOBAL ID:200903091488619757

光電変換装置およびそれを用いた光発電装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004311247
Publication number (International publication number):2006128204
Application date: Oct. 26, 2004
Publication date: May. 18, 2006
Summary:
【課題】 変換効率の優れた色素増感型の光電変換装置を提供する。 【解決手段】 硫化インジウム銅を主成分とする粒子からなる、光電変換を行なう光励起体4と、この光励起体4が表面に多数付着した、光励起体4で光電変換により生じた電子を輸送する多孔質電子輸送体3と、光励起体4で光電変換により生じたホールを輸送するホール輸送体7とを具備する光電変換装置である。硫化インジウム銅を主成分とする粒子で光励起体4を構成することにより、光励起体4での光吸収量が多く、かつ発生したキャリアを効率良く多孔質電子輸送体3へ注入することが可能なため、無毒な材料から成る変換効率の優れた光電変換装置を作製することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
硫化インジウム銅を主成分とする粒子からなる、光電変換を行なう光励起体と、該光励起体が表面に多数付着した、前記光励起体で光電変換により生じた電子を輸送する多孔質電子輸送体と、前記光励起体で光電変換により生じたホールを輸送するホール輸送体とを具備することを特徴とする光電変換装置。
IPC (2):
H01L 31/04 ,  H01M 14/00
FI (2):
H01L31/04 Z ,  H01M14/00 P
F-Term (6):
5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS17 ,  5H032EE03 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 米国特許第4927721号明細書
  • 米国特許第6653701号明細書
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-036815   Applicant:富士ゼロックス株式会社
Cited by examiner (4)
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