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J-GLOBAL ID：200903091504980805

半導体装置の製造方法

Inventor： 前田 圭一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997222610
Publication number (International publication number)：1999067766
Application date： Aug. 19, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 リフロー法により溝または孔にCuまたはCu合金を埋め込む際に、Cu膜またはCu合金膜の表面に形成された自然酸化膜を効果的に除去しつつ、リフローを効率よく行うことにより、それらの膜の埋め込み特性を向上させ、配線の抵抗上昇や信頼性低下を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板1上に形成された層間絶縁膜2に配線溝3を形成した後、スパッタリング法により全面にTiN/Ti膜4とCu膜5とを順次形成する。次に、Cu膜5の表面に電子サイクロトロン共鳴により生成された還元作用を有する水素プラズマを照射してCu膜5の表面に形成された自然酸化膜を還元除去しつつ、Si基板1を400°C程度の温度で加熱することによりリフローさせる。次に、CMP法により配線溝3の内部以外の部分のCu膜5およびTiN/Ti膜4を順次除去し、溝配線を形成する。

Claim (excerpt)：

リフロー法により銅または銅合金を溝または孔に埋め込むようにした半導体装置の製造方法において、銅または銅合金を成膜した後、上記成膜された銅または銅合金を、その表面に還元作用を有するプラズマを照射しつつ、リフローさせるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/203

FI (3)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/88 M