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J-GLOBAL ID：200903091517829669

配線構造、及びその形成方法

Inventor： 福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  片山 倫子 ,  山口 城
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998236107
Publication number (International publication number)：2000068274
Application date： Aug. 21, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Cuを主成分とする配線材料を用いた信頼性の高い配線構造を提供する。【解決手段】 支持基板の主表面上に第1の絶縁膜が形成されている。第1の絶縁膜に配線溝が形成されている。配線溝内を、Cuを主成分とする導電材料が埋め込み、配線が形成されている。配線の上面を、拡散防止層が覆っている。拡散防止層は、窒化硼素により形成されている。拡散防止層の上に第2の絶縁膜が配置されている。

Claim (excerpt)：

支持基板の主表面上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜に形成された配線溝と、前記配線溝内を埋め込むように配置されたCuを主成分とする配線と、前記配線の上面を覆うように配置され、窒化硼素により形成された拡散防止層と、前記拡散防止層の上に配置された第2の絶縁膜とを有する配線構造。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 B

F-Term (34)：

5F033AA04 ,  5F033AA05 ,  5F033AA15 ,  5F033AA19 ,  5F033AA28 ,  5F033AA29 ,  5F033AA61 ,  5F033AA64 ,  5F033BA04 ,  5F033BA15 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033BA35 ,  5F033BA37 ,  5F033BA45 ,  5F033BA46 ,  5F033CA09 ,  5F033DA04 ,  5F033DA06 ,  5F033DA07 ,  5F033DA08 ,  5F033DA15 ,  5F033DA34 ,  5F033DA36 ,  5F033DA38 ,  5F033EA02 ,  5F033EA03 ,  5F033EA06 ,  5F033EA19 ,  5F033EA25 ,  5F033EA28 ,  5F033EA29 ,  5F033EA32 ,  5F033FA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-073604   Applicant：シャープ株式会社
• 銅の堆積方法および接着性導電体界面
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-198990   Applicant：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-145356   Applicant：株式会社東芝