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J-GLOBAL ID：200903091524419379

III族窒化物系化合物半導体発光素子用の基板の製造方法

Inventor： 千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  千田 昌伸 ,  伊藤 潤 ,  西島 和樹 ,  林 稔真
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001398451
Publication number (International publication number)：2003197963
Application date： Dec. 27, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 フォトリソグラフィのような工数のかかる方法を採用することなく、簡易な方法で光取り出し効率の高い基板の製造方法を提供する。【解決手段】 粗研磨により基板の表面を粗面化し、次に、その粗面の凸部の頂部を除去して平坦化し、もって基板の表面に台形断面の凹凸を形成する。

Claim (excerpt)：

基板の表面を粗面化する第1の工程(フォトリソ工程を除く)と、前記粗面の凸部の頂部を除去して平坦化する第2の工程と、を含むことを特徴とする、III族窒化物系化合物半導体発光素子用の基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01S 5/323 610

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 21/302 C

F-Term (31)：

5F004BA04 ,  5F004DA11 ,  5F041AA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB08 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F073AA55 ,  5F073CA01 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA24