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J-GLOBAL ID：200903091527167427

テラヘルツ電磁波発生装置

Inventor： 萩行 正憲 ,  中嶋 誠 ,  谷 正彦
Applicant, Patent owner： 関西電力株式会社 ,  萩行 正憲
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003334766
Publication number (International publication number)：2005101401
Application date： Sep. 26, 2003
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：

【課題】 超短光パルスを照射して発生するテラヘルツ電磁波を、高い出力で空気中に出射させることができるテラヘルツ電磁波発生装置を提供する。【解決手段】 屈折率nを有し、励起パルス光5を照射されてテラヘルツ電磁波7を発生する半導体1と、屈折率0.7n〜1.3nを有し、上記の半導体に接して覆い、表面において気体に面し、気体側に向って凸状の、絶縁体からなる凸状電磁波部材3とを有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

屈折率nを有し、励起パルス光を照射されてテラヘルツ電磁波を発生する半導体と、 屈折率0.7n〜1.3nを有し、前記半導体に接して覆い、表面において気体に面し、気体に向って凸状の、絶縁体からなる凸状電磁波部材とを有するテラヘルツ電磁波発生装置。

IPC (1)：

H01S1/02

FI (1)：

H01S1/02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特許第3243510号公報
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Terahertz radiation from InAs surfaces with MgO lens coupler
• The 11th IEEE International Conference on Terahertz Electronics HP: Photos (Poster Session II: P2-12, 20030925