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J-GLOBAL ID：200903091536889974

半導体装置の製造方法

Inventor： 林 浩美
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 中島 洋治 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992192601
Publication number (International publication number)：1994045289
Application date： Jul. 21, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 タングステン(W)のドライエッチング方法に関し,エッチング速度を向上させると共に,対下地絶縁膜選択比および対レジスト選択比を向上させる。【構成】 エッチャントガスとして塩素(Cl2 )ガスのみを用いる。

Claim (excerpt)：

タングステンのドライエッチング方法であって,エッチャントガスとして塩素ガスのみを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。