Pat
J-GLOBAL ID：200903091552869320
MIS型半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994127721
Publication number (International publication number)：1995335875
Application date： Jun. 09, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高速で低消費電力で動作する接合容量の小さなMIS型半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 P型の半導体基板1に形成された素子分離用絶縁膜2と、素子分離用絶縁膜2に囲まれた半導体基板1に形成された第2導電型の高濃度ソース・ドレイン拡散層3と、高濃度ソース・ドレイン拡散層3の間の半導体基板1にゲート絶縁膜5を介して設けられたゲート電極6と、ゲート電極6の側部に設けられた薄い絶縁膜7と、高濃度ソース・ドレイン拡散層3と素子分離用絶縁膜2に囲まれゲート電極6と薄い絶縁膜7に覆われていない半導体基板1に形成された第2導電型の低濃度拡散層4を備えたことを特徴とするMIS型半導体装置。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板の一主面に形成された素子分離用絶縁膜と、前記素子分離用絶縁膜に囲まれた前記半導体基板の一主面に形成された第2導電型の高濃度ソース・ドレイン拡散層と、前記高濃度ソース・ドレイン拡散層の間の一主面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の側部に設けられた絶縁膜と、前記高濃度ソース・ドレイン拡散層と素子分離用絶縁膜に囲まれ前記ゲート電極と前記絶縁膜に覆われていない前記半導体基板の一主面に形成された第2導電型の低濃度拡散層とを有するMIS型半導体装置。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 29/78 301 S
, H01L 29/62 G
, H01L 29/78 301 R
Cited by examiner (8)
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