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J-GLOBAL ID：200903091579637359
半導体集積回路装置とその電源供給方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
徳若 光政
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993190890
Publication number (International publication number)：1995038056
Application date： Jul. 02, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 プロセスバラツキや温度変化に対して実質的に低消費電力にできる電源供給を実現した半導体集積回路装置とその電源供給方法を提供する。【構成】 電源供給回路を内蔵させ、内部回路の動作速度に見合った動作電圧を形成するようにする。【効果】 内部回路に要求される動作速度に応じて動作電圧が設定されるので、プロセスバラツキや温度変化に対して必要最小の電圧で内部回路が動作するものとなるので合理的な電源供給が可能となる。
Claim (excerpt)：
外部から供給された電源電圧を受けて、MOSFETにより構成されてなる内部回路に要求される動作速度に対応した電源電圧を形成する電源回路を内蔵してなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
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特開平3-101159
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特開平3-038862
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特開平2-000350
Cited by examiner (8)
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