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J-GLOBAL ID：200903091587282438

化合物半導体の製造方法

Inventor： 元木 健作 ,  松本 直樹
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999052656
Publication number (International publication number)：2000252217
Application date： Mar. 01, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 GaN単結晶基板上に良好な窒化物系化合物半導体層を形成することが可能な化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 GaN単結晶基板1上に形成された窒化物系化合物半導体層2を備える化合物半導体の製造方法において、GaN単結晶基板1をアンモニアガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱した後、窒化物系化合物半導体層2の原材料をGaN単結晶基板1上に供給して窒化物系化合物半導体層を形成する。

Claim (excerpt)：

GaN単結晶基板上に形成された窒化物系化合物半導体層を備える化合物半導体の製造方法において、前記GaN単結晶基板をアンモニアガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱した後、前記窒化物系化合物半導体層の原材料を前記GaN単結晶基板上に供給して前記窒化物系化合物半導体層を形成することを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/08 ,  H01L 21/324 ,  H01L 33/00

FI (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/08 ,  H01L 21/324 X ,  H01L 21/324 R ,  H01L 33/00 C

F-Term (19)：

5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AA07 ,  5F045AB14 ,  5F045AB40 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-267899   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (1)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-267899   Applicant：松下電器産業株式会社