半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006282100
Publication number (International publication number)：2008103370
Application date： Oct. 17, 2006
Publication date： May. 01, 2008
Summary：

【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に、チタン膜上に窒化チタン膜が形成された積層構造のバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込んだ接続部における不具合を回避する。【解決手段】接続孔20の底部にTiCl4ガスを用いた熱反応により熱反応Ti膜21aを形成し、TiCl4ガスを用いたプラズマ反応によりプラズマ反応Ti膜21bを形成した後、H2ガスを用いたプラズマ処理及びNH3ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ti膜21bの表面に窒素リッチTiN膜21cを形成する。続いてWF6ガスを用いたCVD法による成膜とSiH4ガスまたはB2H6ガスを用いた還元とを複数回繰り返して、窒素リッチTiN膜21c上に多層構造のタングステン核膜22aを形成した後、WF6ガス及びH2ガスを用いたCVD法により400°C以下の温度でタングステン核膜22a上にブランケット・タングステン膜22bを形成する。【選択図】図15

Claim (excerpt)：

半導体ウエハの主面に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜に開口した接続孔の内部にバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込む半導体装置の製造方法であって、前記絶縁膜に前記接続孔を形成した後、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法: (a)前記接続孔の底部に第1反応ガスを用いた熱反応により第1金属膜を形成する工程; (b)前記第1金属膜上に前記第1反応ガスを用いたプラズマ反応により第2金属膜を形成する工程; (c)窒素を含む第3反応ガスを用いて前記第2金属膜の表面に第2プラズマ処理を施して前記第2金属膜の表面に第1窒化金属膜を形成する工程。

IPC (10)：

H01L 21/768 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/28 , H01L 21/285 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , C23C 16/14 , C23C 16/34 , C23C 16/56

FI (8)：

H01L21/90 C , H01L21/88 R , H01L21/28 301R , H01L21/285 C , H01L27/08 321F , C23C16/14 , C23C16/34 , C23C16/56

F-Term (137)：

4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA07 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA38 , 4K030BB05 , 4K030BB12 , 4K030DA03 , 4K030DA08 , 4K030DA09 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104DD02 , 4M104DD04 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD22 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD52 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104DD91 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104GG17 , 4M104HH05 , 4M104HH08 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ07 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033KK28 , 5F033LL04 , 5F033LL09 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ53 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033QQ82 , 5F033QQ90 , 5F033QQ92 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033VV07 , 5F033WW03 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX17 , 5F033XX28 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF01 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-161276 Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-370605 Applicant：松下電器産業株式会社
成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-311807 Applicant：東京エレクトロン株式会社

Cited by examiner (8)

成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-177191 Applicant：東京エレクトロン株式会社
成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-291667 Applicant：東京エレクトロン株式会社
交互層蒸着前の保護層
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-144436 Applicant：エイエスエムマイクロケミストリオーワイ

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