Pat

J-GLOBAL ID：200903091594802498

CIS系薄膜太陽電池及びその作製方法

Inventor： 櫛屋 勝巳 ,  田中 良明 ,  小野寺 勝 ,  田中 学 ,  名古屋 義則
Applicant, Patent owner： 昭和シェル石油株式会社
Agent (1)： 田中 康博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004356909
Publication number (International publication number)：2006165386
Application date： Dec. 09, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】 アルカリバリア層と金属裏面電極層の製膜を、低コスト且つ短時間で行い、光吸収層が金属裏面電極層との界面から剥離する現象を防止する。【解決手段】 ガラス基板2、シリカ等の無アルカリ層7、積層構造の金属裏面電極層3、p形CIS系光吸収層4、高抵抗バッファ層5、n形窓層6の順に積層されたCIS系薄膜太陽電池1及びその作製方法に関する。前記層7又はこれと層3の第1層3aは、層4の製膜時に基板2から光吸収層へのアルカリ成分の熱拡散を防止し、制御するためのアルカリバリア層8となる。層3aは結晶粒が微粒且つ高密度である。基板上に層7をRF又はDCスパッタ法で製膜後、該層7上に連続してDCスパッタ法で層3を製膜する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ガラス基板、無アルカリ層、積層構造の金属裏面電極層、p形CIS系光吸収層、高抵抗バッファ層、n形窓層の順に積層されたサブストレート構造のpnヘテロ接合デバイスであるCIS系薄膜太陽電池であって、前記無アルカリ層は前記光吸収層を製膜する際にガラス基板から光吸収層へのアルカリ成分の熱拡散を防止し、制御するためのアルカリバリア機能を有することを特徴とするCIS系薄膜太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 E

F-Term (9)：

5F051AA10 ,  5F051BA14 ,  5F051CB15 ,  5F051DA03 ,  5F051DA07 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051FA18 ,  5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 電極を備えた透明基材
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-564768   Applicant：サン-ゴバングラスフランス
• 基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-312243   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト