Pat

J-GLOBAL ID：200903091597445688

迅速なジアゾキノンポジレジスト

Inventor： クリストフアー・ジヨン・ノーズ ,  ステイーブ・セイイチ・ミウラ ,  メルビン・ウオレン・モントゴメリー ,  ウエイン・マーテイン・モロー ,  ランドルフ・ジヨゼフ・スミス
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992268469
Publication number (International publication number)：1993224411
Application date： Oct. 07, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体デバイスの製造に際してサブミクロン級のパターンを作るための、ホトレジスト組成物に使用するポジホトレジスト組成物と方法とに関する。【構成】 このホトレジストはビスおよびトリス(モノ、ジおよびトリヒドロキシフェニル)アルカン類の、ナフトキノンジアジド4-および5-スルホン酸の混合エステルである増感剤を含んでいる。

Claim (excerpt)：

100重量部のフェノール-アルデヒド樹脂と18〜100重量部の溶解抑制剤との混合物から構成され、この溶解抑制剤はナフトキノンジアジド4-および5-スルホン酸の混合物とポリフェノールとのエステル化から導かれた混合エステルであり、前記ポリフェノールは〔Ph(OH)x〕yCR4-Yの式をもち、ここでPhはベンゼン環、xは1〜3の整数、yは2または3、そしてRは水素、フッ素、メチル、エチル、トリフルオロメチルまたはペンタフルオロエチルであり、前記溶解抑制剤はエステル化されているヒドロキシル基を80%以上有し、そして溶解抑制剤は10〜90モル%の4-スルホネートエステルと90〜10モル%の5-スルホネートエステルとを含有するものとし、ただしRがメチルでyが2であるとき、4-スルホネートエステルのモル%は10〜80である、ポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (2)：

G03F 7/022 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平1-189644
  
• 特開昭58-145938
  
• 特開昭60-133446
  
• 特開昭61-007835
  
• 特開昭62-284354
  
• 特開平4-178451