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J-GLOBAL ID：200903091597912839

半導体レーザ装置

Inventor： 佐々木 信夫
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 佐藤 祐介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997227152
Publication number (International publication number)：1999068250
Application date： Aug. 08, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 簡単・小型・安価な構成で、近赤外レーザ光と可視レーザ光とを同一光軸上に出射する。【解決手段】 可視レーザ光19を上側に出射する発光レーザチップ10と、近赤外レーザ光29を上側に出射する面発光レーザチップ20とを、それらの出射光軸が合致するようにして、ステムのベース50上に、チップ20の上にチップ10が位置するように積層し、近赤外レーザ光29がチップ10内で吸収されないようにして透過するようにする。

Claim (excerpt)：

近赤外半導体レーザチップと可視半導体レーザチップとを、両者の出射側が同一方向を向くようにするとともに、近赤外半導体レーザチップの出射側に可視半導体レーザチップが位置するようにし、かつ、それぞれの光共振器が同一光軸上に並ぶようにして、配列させたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  A61N 5/06 ,  A61B 17/36 350

FI (3)：

H01S 3/18 ,  A61N 5/06 E ,  A61B 17/36 350