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J-GLOBAL ID:200903091606389214

コンデンサー内蔵基板及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 矢野 正行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992203122
Publication number (International publication number):1994029420
Application date: Jul. 06, 1992
Publication date: Feb. 04, 1994
Summary:
【要約】【目的】Siに近い熱膨張係数、高強度及び高誘電率の3特性を兼備して、コンデンサーと絶縁基板との両機能を発揮できるようにする。【構成】絶縁体中にコンデンサーが一体的に内蔵されているものにおいて、前記コンデンサーの誘電体層が炭化珪素SiCを13〜30重量%含有する窒化珪素Si3N4系セラミックスであることを特徴とするコンデンサー内蔵基板。
Claim (excerpt):
絶縁体中にコンデンサーが一体的に内蔵されているものにおいて、前記コンデンサーの誘電体層が炭化珪素SiCを13〜30重量%含有する窒化珪素Si3N4セラミックスであることを特徴とするコンデンサー内蔵基板。
IPC (5):
H01L 23/12 ,  H01B 3/12 336 ,  H01G 4/12 358 ,  H05K 1/16 ,  H05K 3/46

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