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J-GLOBAL ID：200903091617960800
シリカ系厚膜被膜形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997119993
Publication number (International publication number)：1998310872
Application date： May. 09, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 塗膜間の密着性に優れ、かつピンホールのないシリカ系厚膜被膜を効率よく形成する方法を提供する。【解決手段】 トリアルコキシシランの酸加水分解生成物を含有する有機溶剤溶液からなる塗布液を基板上に塗布、乾燥して塗膜を形成し、その塗膜表面に酸化性雰囲気下で紫外線を照射したのち、さらに前記塗布液を塗布する操作を1回以上繰り返して所要の膜厚とし、次いでこの塗膜を不活性雰囲気中、350〜500°Cにおいて熱処理することにより膜厚2000Å以上のシリカ系被膜を形成させる。
Claim (excerpt)：
基板上にシリカ系被膜を形成するに当り、トリアルコキシシランの酸加水分解生成物を含有する有機溶剤溶液からなる塗布液を基板上に塗布、乾燥して塗膜を形成し、その塗膜表面に酸化性雰囲気下で紫外線を照射したのち、さらに前記塗布液を塗布する操作を1回以上繰り返して所要の膜厚とする工程、及びこのようにして得た塗膜を不活性雰囲気中、350〜500°Cにおいて熱処理することにより膜厚2000Å以上のシリカ系被膜を形成させる工程を含むシリカ系厚膜被膜形成方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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