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J-GLOBAL ID：200903091618836119

エッチング方法

Inventor： 城崎 友秀
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998113566
Publication number (International publication number)：1999307512
Application date： Apr. 23, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 反応生成物の除去工程と洗浄工程を省いても、酸化膜と窒化珪素膜を積層した層間膜にコンタクトホールを形成できるエッチング方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るエッチング方法は、窒化珪素膜304とその上に形成された酸化膜303からなる積層膜をエッチングするものである。このエッチング方法は、C4 F8 系ガス306aで該酸化膜303のエッチングを開始し、該窒化珪素膜304が露出する前に該C4 F8 系ガスでのエッチングを停止する工程と、エッチングガスをC4 F8 系ガス306aからCHF3 系ガス306bに切り替えて残った酸化膜303と該窒化珪素膜304をエッチングする工程と、を具備するものである。

Claim (excerpt)：

少なくとも2層を有する積層膜をエッチングする方法であって、第1のエッチングガスで上層のエッチングを開始し、下層が露出する前に該上層のエッチングを停止する工程と、第2のエッチングガスで残った上層と該下層をエッチングする工程と、を具備することを特徴とするエッチング方法。