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J-GLOBAL ID：200903091624562349

電子デバイス洗浄方法および装置並びにこの洗浄方法を用いて洗浄したシリコンウエハ基板あるいはガラス基板を使用して製造した電子デバイスおよび前記使用純水の評価方法

Inventor： 江澤 正義 ,  川越 弘美 ,  森下 敏和 ,  渡辺 澄子
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242182
Publication number (International publication number)：1994097141
Application date： Sep. 10, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 洗浄純水中の極微粒子を低減し、電子デバイスの表面清浄化を向上させる。【構成】 高純水製造装置2でイオン交換処理した一次イオン交換純水を超超高純水製造装置3で再度イオン交換処理して0.01μmφから0.03μmφの極微粒子が5ケから10万ケとした得た超超高純水を用いて電子デバイスをその洗浄槽4で洗浄する。【効果】 シリコンウエハ基板や液晶表示装置のガラス基板に形成したパターンの欠陥をなくし、電気的特性を向上できる。

Claim (excerpt)：

地下水,河川水,水道水あるいはこれらの混合水からなる原水のpHを5.4から6.8に調整し、75ppmから100ppmのポリ塩化アルミニウム塩類を添加することにより上記原水中の主要不純物を凝集沈澱処理し、沈澱処理した被処理水中のイオン性アルミニウムの含有量を10ppm以下とした後にイオン交換処理して高純水を得、この高純水をさらにイオン交換処理したイオン交換二次純水の1ml中に0.01μmφから0.03μmφの略々円形の超微粒子が5ケから10万ケ含まれる超高純水をさらに0.1μmφの保安フィルタ,0.2μmφの超微細フィルタ,および0.1μmφの超微細フィルタをこの順で通過させた超超高純水を用いてシリコンウエハ基板あるいはガラス基板上に塗布したフォトレジストの剥離もしくは薄膜加工表面を清浄化することを特徴とする電子デバイス洗浄方法。

IPC (6)：

H01L 21/304 341 ,  B08B 3/10 ,  C11D 7/50 ,  C23G 1/00 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/027