MOSFET及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993217678
Publication number (International publication number)：1995074352
Application date： Sep. 01, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】単一の半導体ダイ上に集積される多くの、独立の素子が必要となる適用対象に、トレンチ技法を用いた電力トランジスタを提供する。【構成】降伏性能を犠牲にすることなく改善されたRDSon性能を提供する電力トランジスタセル51。ソース20、ドレイン16、及びトレンチ27が基板12に形成される。該ソース20と該トレンチ27との間の空間15上の表面にゲート26が形成される。ドリフト領域14が該トレンチ27の回りに形成される。トレンチ27の回りに形成されたドリフト領域14が、ダイ領域を犠牲にすることなくRESURFトランジスタ50の特性を改善する。

Claim (excerpt)：

ソースと、ゲートと、ドレインと、前記ゲートと前記ドレインとの間に配置されたトレンチと、前記トレンチを取り囲むドリフト領域とを有することを特徴とする横方向電力用トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/76

FI (5)：

H01L 29/78 321 V , H01L 21/76 L , H01L 29/78 301 R , H01L 29/78 301 W , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭61-260676
特開昭64-051662
特開平2-180074

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