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J-GLOBAL ID：200903091655609947

高感度紫外放射検出フオトダイオード

Inventor： ジヨン エドモンド ,  カルバン エツチ カーター ジユニア
Applicant, Patent owner： クリー リサーチ インコーポレイテツド
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992055466
Publication number (International publication number)：1993067803
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 量子効率に優れ、良好な出力を供給することのできる紫外放射検出器を提供することを目的としている。【構成】 本発明の高感度紫外放射検出フォトダイオードは:シリコンカーバイド単結晶基板と;該基板上に設けられる第1導電型のシリコンカーバイドから成る第1単結晶部分と;該第1単結晶部分と隣接し、第1単結晶部分とは逆の導電型のシリコンカーバイドから成る第2単結晶部分と;前記第1単結晶部分と前記第2単結晶部分との間のp-n接合とを具えている。このフォトダイオードは、逆バイアスが-1.0 ボルトで、温度が約170 °Cの条件下、約1×10-9amps/cm2以下の暗電流密度を供給することができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型のシリコンカーバイドか成る単結晶基板と;該基板上に設けられる前記基板と同一導電型のシリコンカーバイドから成る第1エピタキシャル層と;該第1エピタキシャル層上に設けられ入射電磁放射に露光される、前記第1エピタキシャル層及び前記基板とは逆の導電型のシリコンカーバイドから成る頂部エピタキシャル層と;前記頂部エピタキシャル層及び前記基板のオーミック接点;とを具え、前記第1エピタキシャル層と前記頂部エピタキシャル層とが相俟って、その間にp-n接合を形成するようにしたシリコンカーバイドで形成される高感度紫外放射検出フォトダイオードにおいて、前記第1エピタキシャル層のキャリア濃度が前記頂部エピタキシャル層のキャリア濃度よりも十分に小さく、平衡状態において前記p-n接合の空乏領域が前記第1エピタキシャル層に優先的に生じ;更に、前記第1エピタキシャル層が、前記空乏領域を支持するのに十分で、且つ前記第1エピタキシャル層内の少数キャリアの拡散距離よりも大きな規定厚を有し、前記第1エピタキシャル層で吸収されるフォトンによって発生する電子ホール対が、キャリア寿命の間に前記拡散領域に拡散できるように構成され;前記頂部エピタキシャル層が、前記第1エピタキシャル層の厚さより薄く、前記頂部エピタキシャル層のゼロバイアス空乏層幅よりも厚い規定厚を有し、且つ前記頂部エピタキシャル層における紫外放射の吸収を実質的に防ぐことができる程十分に小さく、紫外放射領域の放射が前記p-n接合の前記空乏領域にキャリアを優先的に発生させる程十分に薄く;更に前記頂部エピタキシャル層のキャリア濃度が、実質的に直列シート抵抗値を低減させるのに十分大きいことを特徴とする高感度紫外放射検出フォトダイオード。