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J-GLOBAL ID：200903091657871932

薄膜形成方法

Inventor： 野田 和裕 ,  村上 雪雄 ,  ▲よし▼見 武 ,  西 憲一
Applicant, Patent owner： グンゼ株式会社
Agent (1)： 中島 司朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995149088
Publication number (International publication number)：1997003623
Application date： Jun. 15, 1995
Publication date： Jan. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 ピンホールの発生を極力抑え、定量的生産管理を容易に行うことのできる薄膜形成方法を提供することを目的とする。【構成】 まずスパッタリング装置20にロールフィルム30及びターゲット物体を装着し、スパッタリング槽27内を真空にし、アルゴン封入する。ロールフィルム30を繰出しながら、スパッタリング部23で印加して、ブラッシングローラ25を回転してブラッシングしつつ、1回目のスパッタリングを行う。次に、巻取ローラ22に巻取られたフィルムを、フィルム繰出部21に巻戻しながら、ブラッシングローラ26でブラッシングしつつ2回目のスパッタリングを行う。2回目のスパッタリングを終えた後、再びフィルム繰出部21から繰出し、巻取ローラ22に巻取りながら、ブラッシングローラ25,26は用いず、3回目のスパッタリングを行う。

Claim (excerpt)：

基体上に金属又はその化合物の薄膜を形成する薄膜形成方法において、基体上に金属又はその化合物の薄層を形成する第1の薄層形成工程と、形成された薄層の表面を物理的手段でクリーニングするクリーニング工程と、クリーニングされた薄層上に、金属又はその化合物の薄層を形成する第2の薄層形成工程と、を備えることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (6)：

C23C 14/02 ,  C23C 14/22 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01B 13/00 503 ,  H05K 3/16

FI (6)：

C23C 14/02 Z ,  C23C 14/22 Z ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01B 13/00 503 Z ,  H05K 3/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-176246
  
• 特開平4-216621
  
• 薄膜製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-114630   Applicant：帝人株式会社