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J-GLOBAL ID：200903091671071060
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991234753
Publication number (International publication number)：1993074740
Application date： Sep. 13, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は、再現性の良いエッチングを行うことができる半導体装置の製造方法に関し、再現性良く、かつ精度の高い導電体膜や絶縁膜のエッチングを迅速に行うことができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】ウエハ17の裏面に形成されている第1の膜21を除去した後、前記ウエハ17の表面上の第2の膜20をドライエッチングすることを含み構成する。
Claim (excerpt)：
ウエハの裏面に形成されている第1の膜をドライエッチングする第1のエッチング処理室と、前記ウエハの表面に形成されている第2の膜をドライエッチングする第2のエッチング処理室と、前記第1のエッチング処理室及び前記第2のエッチング処理室がともに連接されている圧力調整室とを有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/02
