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J-GLOBAL ID：200903091674305266

光半導体デバイス

Inventor： 船岡 千洋 ,  園田 純一
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 平山 一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993332086
Publication number (International publication number)：1995193279
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 簡単な構成により、低コストで製造し得ると共に、外部への光の取出し効率を向上せしめるようにした、光半導体デバイスを提供する。【構成】 半導体基板11上に形成された光半導体チップ12と、光半導体チップ12の表面中央付近に形成した電極13と、半導体基板11の下面に形成した裏電極14とを含み、上記電極13の下面の一部に、電気絶縁層15を設けることにより光半導体デバイス10を構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された光半導体チップと、該光半導体チップの表面中央付近に形成された電極と、上記半導体基板の下面に形成された裏電極とを含んでいる光半導体デバイスにおいて、上記電極の下面の一部に、電気絶縁層が設けられていることを特徴とする、光半導体デバイス。