熱処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001192077
Publication number (International publication number)：2002100633
Application date： Nov. 22, 1991
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【目的】信頼性の高い絶縁膜と半導体との界面(例えば、酸化膜/シリコン界面)を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】プラズマを伴わない水素活性種によりシンタリング処理された絶縁膜を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

被処理物を搬出入するための開閉可能な開口部とガスを内部に導入するためのガス導入口とを有する炉心管と;該炉心管内部を加熱するための炉心管加熱手段と;該炉心管の内部に配置された被処理物の位置よりも上流側において、水素ガス又は水素ガスを含むガスから、プラズマを伴うことなく水素活性種を生成させるための水素活性種発生手段と;を少なくとも有することを特徴とする熱処理装置。

IPC (7)：

H01L 21/322 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/324 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (6)：

H01L 21/322 Z , H01L 21/28 B , H01L 21/28 301 T , H01L 21/324 G , H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D

F-Term (79)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB23 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104DD82 , 4M104DD89 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104HH16 , 4M104HH18 , 5F048AA07 , 5F048AB03 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA12 , 5F048BB09 , 5F048BB19 , 5F048BD06 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA12 , 5F140AA21 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA16 , 5F140BB03 , 5F140BB06 , 5F140BC06 , 5F140BC13 , 5F140BD05 , 5F140BE01 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF43 , 5F140BJ01 , 5F140BJ07 , 5F140BJ08 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CA03 , 5F140CA07 , 5F140CB04 , 5F140CC02 , 5F140CC05 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CD02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特公昭49-012033
特開昭63-025949
特開平3-126870

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