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J-GLOBAL ID：200903091687604033

面実装ハイブリッドIC

Inventor： 松村 暢智
Applicant, Patent owner： 株式会社富士通ゼネラル
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994001891
Publication number (International publication number)：1995211744
Application date： Jan. 13, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 回路パターンの接合面に貫通する孔若しくは先端を閉塞した穴を設ける一方、これに係止する接続子を設けたチップ部品を装着して位置決めする面実装ハイブリッドICの提供を目的とする。【構成】 基板1に回路パターンと側面に電極を形成して表面にチップ部品1を搭載し、前記基板1の表面をシェルにて被ってなる面実装ハイブリッドICにおいて、前記回路パターンに、導体にてスルーホール5を形成する一方、前記チップ1部品に、先端を緊縮した接続子2を設け、この接続子2を前記スルーホール5に係止して接合する。第2の例として、前記回路パターンに、貫通孔6を形成する。第3の例として、前記回路パターンに、導体にて先端を閉塞した穴7を形成する。第4の例として、前記回路パターンに、先端を閉塞した穴8を形成する。

Claim (excerpt)：

基板に回路パターンと側面に電極を形成して表面にチップ部品を搭載し、前記基板の表面をシェルにて被ってなる面実装ハイブリッドICにおいて、前記回路パターンに、導体にてスルーホールを形成する一方、前記チップ部品に、先端を緊縮した接続子を設け、該接続子を前記スルーホールに係止して接合してなることを特徴とする面実装ハイブリッドIC。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H05K 3/34