Pat
J-GLOBAL ID:200903091696962104
基板メッキ装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
熊谷 隆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998282845
Publication number (International publication number):2000109999
Application date: Oct. 05, 1998
Publication date: Apr. 18, 2000
Summary:
【要約】【課題】 半導体ウエハをカセットに入れず1枚ずつ連続的にメッキ装置内に導入し処理することができると共に、パーティクル汚染や酸化膜の形成を極力減少でき、且つ工程を少なくし装置の据付け面積を少さくすることが可能な基板メッキ装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板にメッキ処理を施すメッキ処理部、該メッキ処理後の基板を洗浄する洗浄処理部を具備する基板メッキ装置において、メッキ処理される基板を一枚ずつ当該基板メッキ装置内に導入し、メッキ処理及び水洗処理をした後、一枚ずつ当該基板メッキ装置外に排出するように、基板の基板メッキ装置内への導入と、排出の少なくとも片方をメッキ装置内の基板搬送機で行う。
Claim (excerpt):
基板にメッキ処理を施すメッキ処理部、該メッキ処理後の基板を洗浄する洗浄処理部を具備する基板メッキ装置において、前記メッキ処理される基板を一枚ずつ当該基板メッキ装置内に導入し、メッキ処理及び水洗処理をした後、一枚ずつ当該基板メッキ装置外に排出するように、前記基板の当該基板メッキ装置内への導入と排出の少なくとも片方をメッキ装置内の基板搬送機で行うことを特徴とする基板メッキ装置。
IPC (5):
C25D 17/00
, C23C 18/31
, C25D 7/12
, H01L 21/288
, H01L 21/68
FI (5):
C25D 17/00 Z
, C23C 18/31 E
, C25D 7/12
, H01L 21/288 E
, H01L 21/68 A
F-Term (32):
4K022AA05
, 4K022AA42
, 4K022BA08
, 4K022CA03
, 4K022DA01
, 4K022DB15
, 4K022DB17
, 4K024AA09
, 4K024AB01
, 4K024BA15
, 4K024BB11
, 4K024CB01
, 4K024CB02
, 4K024CB03
, 4K024DA04
, 4K024GA16
, 4M104BB04
, 4M104BB30
, 4M104BB32
, 4M104CC01
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 5F031CA02
, 5F031FA01
, 5F031FA07
, 5F031FA12
, 5F031GA53
, 5F031MA23
, 5F031MA25
, 5F031NA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
特開平4-293796
-
マルチ・コンパートメント電気メッキ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-316840
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
シリコンウエーハの保管方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-079601
Applicant:信越半導体株式会社
-
特開昭63-255821
-
鍍金システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-180552
Applicant:株式会社エフオーアイ
Show all
Return to Previous Page