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J-GLOBAL ID：200903091700680275

電界効果トランジスタ,及びその製造方法

Inventor： 吉田 直人 ,  國井 徹郎
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995260177
Publication number (International publication number)：1997102600
Application date： Oct. 06, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高周波,高利得,高効率動作が可能であり、かつ高出力動作に適した電界効果トランジスタ,及びその製造方法を得る。【解決手段】 チャネル層100を、ゲート電極側に設けられたi-InGaAsチャネル上層6,及びGaAs基板1側に設けられたn型GaAsチャネル下層55により構成する。【効果】 高ドレイン電圧印加時のゲート電極11下では、n型GaAsチャネル下層55が主たる電流経路となるため、この層における衝突電離が抑制され、チャネルのブレイクダウン電圧を増大させることができる。さらに、ソース-ゲート間ではi-InGaAsチャネル上層6とn型GaAsチャネル下層55がともに主たる電流経路となるため、低いソース抵抗が得られ、高周波、高利得、高効率動作が可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けられた、チャネル層を含む半導体層と、該半導体層表面上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極を挟むように上記半導体層表面上に設けられたソース電極,及びドレイン電極とを備えた電界効果トランジスタにおいて、上記チャネル層は、GaAsからなるチャネル下層と、該チャネル下層の上方に設けられたInGaAsからなるチャネル上層とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812