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J-GLOBAL ID：200903091712037009

半導体量子ドット装置及びその使用方法

Inventor： 今村 健一 ,  中田 義昭 ,  杉山 芳弘
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995268176
Publication number (International publication number)：1997116169
Application date： Oct. 17, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体量子ドット装置及びその使用方法に関し、縦方向のInAs量子ドット列を利用した感磁性素子等の具体的な半導体量子ドット装置の構造及びその使用方法を提供する。【解決手段】 縦方向に積層された量子ドット列を構成する量子ドット6間のキャリア10の移動を磁場により制御する。

Claim (excerpt)：

縦方向に積層された量子ドット列を構成する量子ドット間のキャリアの移動を、磁場により制御することを特徴とする半導体量子ドット装置。

IPC (3)：

H01L 29/82 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/68

FI (3)：

H01L 29/82 Z ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/68