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J-GLOBAL ID：200903091713156273

撮像装置

Inventor： 星 淳一 ,  橋本 誠二
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999061577
Publication number (International publication number)：2000260971
Application date： Mar. 09, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 微細化CMOSセンサーに適したオーバーフロードレイン構造を得る。【解決手段】 光電変換素子13と光電変換素子13からの過剰な電荷を排除する横型オーバーフロードレイン12とを有する撮像装置において、オーバーフロードレイン12は光電変換素子13の少なくとも2方を取囲む拡散層配線である。

Claim (excerpt)：

光電変換素子と該光電変換素子からの過剰な電荷を排除する横型オーバーフロードレインとを有する撮像装置において、前記オーバーフロードレインは前記光電変換素子の少なくとも2方を取囲む拡散層配線であることを特徴とする撮像装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E

F-Term (14)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA14 ,  4M118FA19 ,  5C024AA01 ,  5C024CA02 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA31 ,  5C024GA43