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J-GLOBAL ID：200903091715569320

半導体ウェーハの評価方法

Inventor： 梅野 繁
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993303541
Publication number (International publication number)：1995130811
Application date： Nov. 08, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 赤外線トモグラフ法による半導体ウェーハ中の結晶欠陥密度の測定に際し、欠陥の大きさによる観察視野の厚さの変化を補正し、正確な欠陥密度を測定することができる半導体ウェーハの評価方法の提供。【構成】 シリコンウェーハに赤外レーザービームを入射する位置を、観察視野内の欠陥の一部が重複して観察されるようなピッチPで、観察視野に垂直な方向に移動して合計L層の観察を行なう。観察される欠陥数は観察視野の厚さに比例するので、L層で観察された重複分を含む欠陥総数をNG、正味の欠陥数をNN、欠陥が重複して観察される(赤外ビームが重複している)層の厚さをXとすれば、NG/{(P+X)×L}=NN/{P×L+X} 式が成り立ち、P+Xは各観察層の厚さ、P×L+XはL層の厚さである。P、Lは観察条件であり、NG、NNは観察によって得られるので、Xが算出でき、一層の観察視野の面積をAとすると観察体積VはV=A×(P×L+X)であり、NNをVで除すれば欠陥密度が求められる。

Claim (excerpt)：

赤外線トモグラフ法により半導体ウェーハ中の欠陥密度を測定する半導体ウェーハの評価方法において、半導体ウェーハに赤外レーザービームを入射する位置を、観察視野内の欠陥の一部が重複して観察されるピッチPで、観察視野に垂直な方向に移動して多数層Lを観察し、得られた重複観察を含む欠陥総数NG、正味の欠陥数NNより、欠陥が重複して観察される層の厚さXを、NG/{(P+X)×L}=NN/{P×L+X} なる式で算出し、当該一層の観察視野の面積をAとして観察体積Vを、V=A×(P×L+X) なる式で求め、NNをVで除して欠陥密度を求めることを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。