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J-GLOBAL ID：200903091723171572

光半導体装置及びその形成方法

Inventor： 田淵 晴彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993216006
Publication number (International publication number)：1995066502
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】光半導体装置に関し、光能動素子と光導波路をモノリシックに形成するとともに、その光導波路の端面でのコア層の幅方向と厚み方向の光ピームの径を大きくすること。【構成】pn接合又はpin接合の半導体よりなる光能動素子35を含むとともに、前記光能動素子35の光入力部か出力部の少なくとも一方に一体的に形成され、かつ、前記光能動素子35から遠ざかるにつれて膜厚が薄くて幅が広いコア層20と、該コア層20を囲むクラッド層15,22とからなる導波路36を含む。

Claim (excerpt)：

中央部から端部にかけて膜厚が薄くなるコア層(20)と、該コア層(20)を囲むクラッド層(15, 22)とからなる光ビーム径変換導波路(36)を有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00