エラー訂正機能付きメモリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001184897
Publication number (International publication number)：2003007085
Application date： Jun. 19, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】エラー訂正機能付きメモリの回路規模およびチップ面積を縮小する。【解決手段】初期化されクロック信号に同期してエラー検出訂正回路3のデータ出力を保持するデータ保持回路4と、テストモード動作時にデータ保持回路4の出力をエラー訂正コード発生回路1のデータ入力として選択する選択回路5と、エラー訂正コード発生回路1からエラー訂正コードを入力し順次変化の組み合わせビットでそれぞれ反転してコード変更するコード変更回路6と、テストモード動作時にデータ保持回路4およびコード変更回路6の出力をエラー検出訂正回路3のデータ入力およびエラー訂正コード入力として選択する選択回路7とを備える。

Claim (excerpt)：

データを入力しそのエラー訂正コードを発生するエラー訂正コード発生回路と、前記データおよび前記エラー訂正コードを格納するメモリ回路と、このメモリ回路から読み出されたデータおよびエラー訂正コードを入力しエラー検出および訂正を行ってデータを出力するエラー検出訂正回路とを備えるエラー訂正機能付きメモリにおいて、テストモード動作時に、前記エラー検出訂正回路のデータ出力をクロック信号に同期して保持して前記エラー訂正コード発生回路および前記エラー検出訂正回路のデータ入力とし且つ前記エラー訂正コード発生回路のエラー訂正コード出力を任意ビットでそれぞれ反転してコード変更し前記エラー検出訂正回路のエラー訂正コード入力とすることを特徴とするエラー訂正機能付きメモリ。

IPC (4)：

G11C 29/00 631 , G06F 11/10 330 , G06F 11/22 350 , G06F 12/16 330

FI (4)：

G11C 29/00 631 B , G06F 11/10 330 B , G06F 11/22 350 Z , G06F 12/16 330 A

F-Term (17)：

5B001AB08 , 5B001AC01 , 5B001AD01 , 5B018GA03 , 5B018JA21 , 5B018JA25 , 5B018MA31 , 5B018PA03 , 5B018QA13 , 5B048AA02 , 5B048CC03 , 5B048CC11 , 5B048DD10 , 5L106BB12 , 5L106DD11 , 5L106EE05 , 5L106GG03

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