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J-GLOBAL ID：200903091727041355

多層セラミツク回路基板

Inventor： 生田 貴紀 ,  入間川 裕
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991190020
Publication number (International publication number)：1993037160
Application date： Jul. 30, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 内部配線間の基板絶縁抵抗を良好に維持し、且つ基板の反りがなく、内部配線の導通性が良好な多層セラミック回路基板を提供する。【構成】本発明は、貴金属、を主成分とする導体材料及びガラスフリットからなる導電性ペーストでビアホール及び内部配線を形成したセラミックグリートを複数積層し、低温焼成した多層セラミック回路基板において、前記導電性ペーストは、屈伏点が700〜845°Cで、かつ15mol%以下のB2 O3 を有するガラスフリットを含有している。

Claim (excerpt)：

貴金属を主成分とする導体材料とガラスフリットとからなる導電性ペーストでビアホール及び内部配線を形成し、セラミックグリートを複数積層し、850〜1050°Cで焼成した多層セラミック回路基板において、前記導電性ペーストは、屈伏点が700〜845°Cで、かつ15mol%以下のB2 O3 を有するガラスフリットを含有していることを特徴とする多層セラミック回路基板。

IPC (3)：

H05K 3/46 ,  C04B 41/88 ,  H05K 1/09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-018794
  
• 特開昭63-215559
  
• 特開平1-248589
  
• 特開平1-259597