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J-GLOBAL ID：200903091728086867

多結晶Si薄膜太陽電池及びその製造方法

Inventor： 店村 悠爾 ,  師岡 久雄
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995340844
Publication number (International publication number)：1997181344
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 実用的な光電変換効率を有しつつ、低コスト化が可能な薄膜多結晶Si太陽電池を得る。【解決手段】 Alを主成分とする導電層とSi層を積層して加熱処理することにより、AlのSiに対する低温での結晶核成長効果を利用し、結晶粒径が巨大化した多結晶Siとし、この多結晶Si上に活性領域としてのPNまたはPIN接合を形成して多結晶薄膜太陽電池を得る。

Claim (excerpt)：

耐熱性基板、該耐熱性基板上のAlを主成分とする導電層、該導電層上のAl拡散多結晶Si層、該Al拡散多結晶Si層上のホモエピタキシャルPN又はPIN接合を有する多結晶Si半導体層、および該多結晶Si半導体層上の電極とを有する多結晶Si薄膜太陽電池。