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J-GLOBAL ID：200903091731705373

撮像装置

Inventor： 丸野 正 ,  岩瀬 富美雄
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999354841
Publication number (International publication number)：2001169193
Application date： Dec. 14, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 良質な画像を得ることが可能な撮像装置を提供する。【解決手段】 EB-CCDは、電子の衝突による電子増倍によって半導体撮像領域1iで発生した電子を転送し、増幅器1toから画素信号を出力する撮像装置として知られている。本撮像装置においては、設定パラメータが所定の関係(A)又は(B)を有するので、従来では検出できなかった単一フォトンの二次元分布を検出することができる。

Claim (excerpt)：

エネルギー線の入射に応じて光電陰極で発生した電子を真空容器内において加速し、前記光電陰極に対向配置された半導体固体撮像素子の半導体撮像領域に衝突させ、この電子の衝突による電子増倍によって前記半導体撮像領域で発生した電子を転送して前記半導体固体撮像素子に設けられた増幅器に入力することによって前記増幅器から画素信号を出力する撮像装置において、前記光電陰極と前記半導体固体撮像素子との間に印加される加速電圧をVP(V)、前記増幅器から出力される画素信号の読み出し速度をfR(Hz)、前記増幅器から出力される画素信号の読み出し速度がfR0(Hz)の時に前記増幅器に入力されるノイズ電荷数の二乗平均平方根値をn0、前記電子増倍が起り始めるときの前記光電陰極と前記半導体固体撮像素子との間のしきい値電圧をVTH(V)、前記半導体撮像領域における電子正孔間結合エネルギーをE(eV)、としたとき、以下の関係を満たすことを特徴とする撮像装置。【数1】

IPC (4)：

H04N 5/335 ,  H01J 29/45 ,  H01J 31/26 ,  H01L 27/14

FI (4)：

H04N 5/335 Z ,  H01J 29/45 B ,  H01J 31/26 ,  H01L 27/14 K

F-Term (25)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118BA13 ,  4M118DA03 ,  4M118DB06 ,  4M118DB07 ,  4M118DC07 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  5C024AX16 ,  5C024CX03 ,  5C024CX41 ,  5C024CY16 ,  5C024EX42 ,  5C024GY03 ,  5C024HX17 ,  5C024HX23 ,  5C024HX46 ,  5C024HX58 ,  5C024JX23 ,  5C037AA09 ,  5C037EE01 ,  5C037EE06