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J-GLOBAL ID:200903091735067630

パラジウム電極中への高水素吸蔵安定化方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大川 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996178162
Publication number (International publication number):1998018070
Application date: Jul. 08, 1996
Publication date: Jan. 20, 1998
Summary:
【要約】【課題】パラジウム電極中への高水素吸蔵を達成するとともにこの高水素吸蔵を長時間安定に維持することができる電解法を提供する【解決手段】陰極をパラジウム電極として定電圧での水電解を行う電解条件の内、電圧をパラメータとして定電圧電解を行い電解時間に対する該パラジウム電極の比抵抗(R/R0 )を測定し、該比抵抗が極大を越えた後一定となる電圧を求める電圧設定工程と、求められた電圧を採用し、電圧以外の他の電解条件を該電圧設定工程と同じにして定電圧電解を行い、該パラジウム電極に多量の水素を吸蔵させるとともに吸蔵された水素を安定的に維持する高水素吸蔵安定工程と、を含むことを特徴とするパラジウム電極中への高水素吸蔵安定化方法。定電圧電解という極めて簡単な方法でパラジウム電極の高水素吸蔵安定化を図ることができる。
Claim (excerpt):
陰極をパラジウム電極として定電圧での水電解を行う電解条件の内、電圧をパラメータとして定電圧電解を行い電解時間に対する該パラジウム電極の比抵抗(R/R0 )を測定し、該比抵抗が極大を越えた後一定となる電圧を求める電圧設定工程と、求められた電圧を採用し、電圧以外の他の電解条件を該電圧設定工程と同じにして定電圧電解を行い、該パラジウム電極に多量の水素を吸蔵させるとともに吸蔵された水素を安定的に維持する高水素吸蔵安定工程と、を含むことを特徴とするパラジウム電極中への高水素吸蔵安定化方法。
IPC (2):
C25B 1/04 ,  C01B 3/04
FI (2):
C25B 1/04 ,  C01B 3/04 R

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