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J-GLOBAL ID：200903091766308520

半導体ウエハの上面及び側壁からのポリマー除去

Inventor： ウィリアム ブラウン ,  ハラルド ハーシェン ,  ウォルター メリー ,  マイケル ウェルチ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996310871
Publication number (International publication number)：1997181055
Application date： Nov. 21, 1996
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 メタルエッチ後のウエハの上面及び側壁に形成された、フォトレジスト及び非一様なポリマー残留物の堆積を、除去するプロセスを提供する。【解決手段】 遠い位置にある弗素含有種を含むガス流に、マイクロ波エネルギー又は高周波(RF)エネルギーを供給する。チャンバ内に高い圧力を維持しつつ、ウエハチャックにも同時に高周波(RF)を供給し、プロセスチャンバに対する自己バイアスをウエハに与える。即ち、リモートプラズマ(離れた場所に発生したプラズマ)により生成した反応種を用いる化学的ストリッピングのメカニズムは、ウエハチャックにRF電力を印加して生じるイオン衝突の物理的メカニズムによって促進される。このようにストリッピングのメカニズムがなされることにより、ウエハ表面の上面及び側壁から同時に、フォトレジスト及びポリマーが除去される。

Claim (excerpt)：

プロセスチャンバ内で、メタルエッチ後の半導体ウエハの上面及び側壁からフォトレジスト及びポリマー残留物をストリッピングするためのプロセスであって、前記プロセスチャンバよりも上流で、供給ガスの流動を開始するステップと、プラズマを発生させるための手段を前記供給ガスに適用させるステップと、前記プロセスチャンバに前記プラズマを、活性種の形態で流入させるステップと、前記プロセスチャンバ内の前記ウエハに高周波(RF)エネルギーを印加してプラズマを発生させ且つウエハに自己バイアスを伴わせるステップと、前記活性種及び前記プラズマにより、前記メタルエッチ後のウエハの前記上面及び前記側壁から、前記フォトレジスト及び前記ポリマー残留物をストリッピングするステップとを有するプロセス。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A