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J-GLOBAL ID：200903091775816253

半導体装置の製造装置

Inventor：
大音 光市

About 大音 光市


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999060787
Publication number (International publication number)：2000260764
Application date： Mar. 08, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：
【要約】【課題】 熱分解炉を用いることなく、簡単な構成によって成膜レートを向上させることのできる半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】 キシリレンダイマー18が収納されたソース容器8と成膜室1の間のソースガス経路内にプラズマ発生装置13を設置する。ソース容器8で加熱されたキシリレンダイマー18は気化し、プラズマ発生装置13へ送られる。プラズマ発生装置13では、上部電極13bと下部電極13cの間に高周波電源13dの出力が印加され、プラズマ発生装置13内にはプラズマが生じている。プラズマ発生装置13に導入されたソース容器8からのソースガスはプラズマの励起によって分解され、キシリレンのモノマーが形成される。
Claim (excerpt)：
半導体基板が配設された成膜室にソースガスを導き、CVD(Chemical Vapor Deposision)法により前記半導体基板上に絶縁膜を成膜する半導体装置の製造装置において、前記成膜室に至るソースガスの供給経路内、又は前記成膜室の前記ソースガスの取り込み部にて前記ソースガスをプラズマ雰囲気にて分解することを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (2)：
H01L 21/312 ,  H01L 21/31
FI (2)：
H01L 21/312 A ,  H01L 21/31 C
F-Term (15)：
5F045AA08 ,  5F045AA10 ,  5F045AB39 ,  5F045AC16 ,  5F045AE21 ,  5F045BB09 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EC09 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開昭57-013746
  • 特開昭58-165329
  • 特開平2-240266
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