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J-GLOBAL ID：200903091786574944

半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる製造装置

Inventor： 齋藤 達之 ,  田丸 剛 ,  青木 英雄 ,  大和田 伸郎 ,  福田 直樹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994304677
Publication number (International publication number)：1996162534
Application date： Dec. 08, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高信頼度でしかも電気特性の優れた配線層を有する半導体集積回路装置と、それを容易に製作できる製造方法および製造装置を提供する。【構成】 減圧状態にできる各室すなわちロードロック室2、前処理室3、スパッタリング室4、スパッタリング室5および気相反応室6を有し、しかもそれらの各室にゲートバルブ8を介して連結されており各室に必要に応じてウエハ9を搬入すると共に搬出する機構部である搬送室7を有している製造装置1を使用して、特に微細加工を必要とする半導体集積回路装置を製造するものである。

Claim (excerpt)：

半導体素子が設けられている半導体基板と、前記半導体基板上に設けられている絶縁膜と、前記絶縁膜の選択的な領域に設けられている接続孔と、前記接続孔および前記接続孔の近傍の前記絶縁膜の表面に設けられている複数の導電膜からなる配線層とを有する半導体集積回路装置であって、前記配線層を構成している複数の前記導電膜の少なくとも1つの導電膜の前記接続孔の内における膜厚は、前記接続孔の近傍の前記絶縁膜の表面における膜厚よりも厚いことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5)：

H01L 21/768 ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285