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J-GLOBAL ID：200903091800245541
電界効果トランジスタの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992031128
Publication number (International publication number)：1993235047
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 GaAsまたはInGaAsをチャネルに用いた電界効果トランジスタにおいて、高信頼かつ高耐圧かつ高出力で高効率、しかも表面欠陥準位の影響を受けない電界効果トランジスタを容易に再現性良く作製する製造方法を与える。【構成】 n形GaAsチャネル層又はn形InGaAsチャネル層上のソース及びドレイン電極領域にオーミック電極を設け、ソース及びドレイン電極からゲート電極に向って深くなるようにリセスエッチングし、そのリセスエッチングされたチャネル上にゲート電極を設け、その後不純物無添加GaAs層又は不純物無添加AlGaAs層又は不純物無添加InAlAs層を原子層エピタキシャル成長法により400°C以下で形成する。
Claim (excerpt)：
n形GaAsチャネル層又はn形InGaAsチャネル層上のソース及びドレイン電極領域にオーミック電極を設ける工程と、ソース及びドレイン電極からゲート電極に向って深くなるようにリセスエッチングする工程と、リセスエッチングされたチャネル上にゲート電極を設ける工程と、その後不純物無添加GaAs層又は不純物無添加AlGaAs層又は不純物無添加InAlAs層を原子層エピタキシャル成長法により400°C以下で形成する工程とを含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/205
