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J-GLOBAL ID：200903091800815232
半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991202882
Publication number (International publication number)：1993047176
Application date： Aug. 13, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 この発明の目的は、リフレッシュモードにおけるサイクル数を任意に切換えることのできる半導体記憶装置を提供することである。【構成】 リフレッシュモード切換信号発生回路RMGは、ボンディングパッドVBPがパッケージPAKの電源端子VTにワイヤボンディングされているか否かに応じて、HレベルまたはLレベルのリフレッシュモード切換信号φ7を発生する。このリフレッシュモード切換信号φ7に応答して、リフレッシュモード切換回路RMSは、半導体記憶装置のリフレッシュモードにおけるサイクル数を切換える。
Claim (excerpt)：
複数のワード線と、これらワード線と交差して配置された複数のビット線対と、前記ワード線と前記ビット線対との各交点に配置された複数のメモリセルとを含むメモリセルアレイを備え、リフレッシュモードにおいて各前記メモリセルの記憶情報をリフレッシュする半導体記憶装置であって、ロウアドレス信号に応答して、前記ワード線の選択を行なうワード線選択手段、コラムアドレス信号に応答して、前記ビット線対の選択を行なうビット線対選択手段、外部からの指示に応答して、リフレッシュモードの種類を切換えるためのリフレッシュモード切換信号を発生するリフレッシュモード切換信号発生手段、および前記リフレッシュモード切換信号に応答して、前記ワード線選択手段がリフレッシュモード時において同時に選択するワード線の本数を切換制御するリフレッシュモード切換制御手段を備える、半導体記憶装置。
FI (2)：
G11C 11/34 363 L
, G11C 11/34 363 K
