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J-GLOBAL ID：200903091807146972

圧電・強誘電体薄膜デバイスの製造方法

Inventor： 長谷川 和正 ,  田村 博明
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998257292
Publication number (International publication number)：2000091656
Application date： Sep. 10, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板材料の選択に自由度を持たせることが可能で、構成体へのダメージが生じず、かつ低コストで特性ばらつきの少ない圧電・強誘電体デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】第1の基板101上に少なくとも1層以上の導電層を有してなる下電極102、圧電・強誘電体薄膜103、及び上電極104を形成し、前記上電極側から基板またはシート105を接着し、これを第1の基板101から剥離する。

Claim (excerpt)：

第1の基板上に、少なくとも1層以上の導電層を有してなる下電極を形成する工程、圧電・強誘電体薄膜を形成する工程、少なくとも1層以上の導電層を有してなる上電極を形成する工程、前記上電極及び圧電・強誘電体薄膜をパターニングする工程、前記上電極側から基板またはシートを接着する工程、前記基板またはシートを前記下電極及び圧電・強誘電体薄膜及び上電極と共に第1の基板から剥離する工程、前記第1の基板から剥離した基板またはシート及び前記下電極及び圧電・強誘電体薄膜及び上電極を第2の基板に接着する工程、前記基板またはシートと前記上電極及び圧電・強誘電体薄膜及び下電極との間の接着層の接着強度を弱める工程、及び、前記基板またはシートを前記第2の基板及び下電極及び圧電・強誘電体薄膜及び上電極から剥離する工程を有することを特徴とする圧電・強誘電体薄膜デバイスの製造方法。

IPC (7)：

H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 41/24

FI (5)：

H01L 41/08 C ,  H01L 27/10 451 ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/22 A

F-Term (18)：

2C057AF24 ,  2C057AF93 ,  2C057AG12 ,  2C057AG44 ,  2C057AG92 ,  2C057AG93 ,  2C057AG94 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP25 ,  2C057AQ02 ,  2C057AQ10 ,  2C057BA03 ,  2C057BA14 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38