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J-GLOBAL ID：200903091808537851

化合物半導体単結晶引き上げ装置および引き上げ方法

Inventor： 佐々 紘一 ,  熱海 貴 ,  小野 直樹
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994012994
Publication number (International publication number)：1995215793
Application date： Feb. 04, 1994
Publication date： Aug. 15, 1995
Summary：

【要約】【目的】 径および組成が均一かつ転位密度の低い化合物半導体単結晶を製造する。【構成】 密封容器1の内周には、鍔部20a、テーパー管20b、円筒部20cおよび底部20dとからなる環状隔壁20が設置され、底部20dには連通孔22が分布している。単結晶T製造の際には、融液Yの合成後、底部20dを融液Y中に浸漬して融液Yを連通孔22から環状隔壁20内に導入させ、更に、融液Yに浸漬した種結晶Sを引き上げ、単結晶Tの成長が肩部から直胴部に入るところで、単結晶Tの外径と円筒部20cの内壁の間隔を3.5〜10mm以下とする。その結果、滑らかな円筒状をなす転位密度の低い結晶が得られ、かつ結晶成長に伴う環状隔壁20内外の融液Yの組成のずれが、環状隔壁20内の融液表面を通じての高解離圧成分の出入りと、連通孔22を介した融液Yの静的流通により調整され、結晶組成が常時一定に保たれる。

Claim (excerpt)：

開閉可能な円筒状密封容器と、この密封容器の内部に同軸に配置されたルツボと、このルツボを軸線回りに回転させるルツボ回転手段と、前記ルツボ内に収容された原料融液に種結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ機構と、前記密封容器と連通された蒸気圧制御部と、前記密封容器を取り巻いて前記密封容器を加熱する複数のヒーターとを具備し、前記密封容器内に封入された高解離圧成分の一部を前記蒸気圧制御部内に凝縮させることにより前記密封容器内部の高解離圧成分ガスの圧力を制御しつつ化合物半導体単結晶の引き上げを行う装置において、前記密封容器の内周に、円環状をなす鍔部と、この鍔部の内側から下方に連結されたテーパー管と、このテーパー管の下端に連結され、かつその底部に複数の連通孔が分布した有底円筒部とからなる環状隔壁を同軸上に設置し、かつ前記有底円筒部の材質が原料融液に濡れにくい物質からなり、しかも、前記有底円筒部の内径が目的の単結晶径より大きく、かつその外径はルツボ内径より小さいことを特徴とする化合物半導体単結晶引き上げ装置。

IPC (4)：

C30B 15/22 ,  C30B 15/02 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/208