Pat

J-GLOBAL ID：200903091810824485

半導体素子

Inventor： 皆川 重量 ,  田中 俊明 ,  石谷 善博 ,  大歳 創
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994039445
Publication number (International publication number)：1995249797
Application date： Mar. 10, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 AlGaInN系結晶から成る半導体素子に低抵抗かつ安定なオーミックコンタクトを形成する。【構成】 AlGaInN系結晶のうえにGaP層18,19などの他のIIIV族化合物半導体をエピタキシャル成長し、このうえにオーミック電極を形成する。【効果】 低抵抗かつ安定なオーミックコンタクトが得られ、素子の性能と信頼性が向上する。

Claim (excerpt)：

AlGaInN系の多元結晶から成る二重異種接合を有する半導体素子において、その最上層にさらに窒化物以外の他のIIIV族化合物半導体層をつけた構造を有する半導体素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43 ,  H01S 3/18