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J-GLOBAL ID：200903091817811311
半導体レーザダイオード及びその製造方法並びに半導体レーザダイオードアレイ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993009921
Publication number (International publication number)：1994152074
Application date： Jan. 25, 1993
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】 放熱特性に優れた、高出力,長寿命の選択PHS構造半導体レーザダイオード及び選択PHS構造半導体レーザダイオードアレイを得る。【構成】 半導体基板の第1の面上にレーザダイオード構造の活性領域を有し、上記半導体基板の第2の面に選択的に埋め込まれたPHS電極を備えた半導体レーザダイオードにおいて、レーザダイオード構造の活性領域が半導体基板より内側の領域に形成されており、上記活性領域の共振器方向の長さをA、上記PHS電極の共振器方向の長さをBとしたときにA≦Bとなるように構成し、さらに半導体基板のレーザ発光端面より外側の領域をレーザ光のビーム広がりの領域に入らないような角度でテーパ状に加工して構成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板の第1の面上にレーザダイオード構造の活性領域を有し、上記半導体基板の第2の面に選択的に埋め込まれたPHS電極を備えた選択PHS構造の半導体レーザダイオードであって、上記レーザダイオード構造の活性領域が上記半導体基板の端部より内側の領域に形成されており、上記PHS電極の共振器方向の長さは上記活性領域の共振器方向の長さとほぼ等しいかこれよりも長いことを特徴とする半導体レーザダイオード。
IPC (4)：
H01S 3/18
, H01L 21/288
, H01L 21/306
, H01L 23/36
