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J-GLOBAL ID：200903091820976135
結晶欠陥観察方法及びその装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991287710
Publication number (International publication number)：1993126737
Application date： Nov. 01, 1991
Publication date： May. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】シリコン結晶中の光散乱法による欠陥観察において、結晶中の欠陥や析出物等の高温状態での様子や変化を観察する。これにより、結晶内への欠陥等の作り込みが容易になる。【構成】試料1を、断熱材7で被覆した熱処理炉5内のボート6に保持させる。熱処理炉5はXYZステージ2に支持され、X,Y,Z方向に微動する。試料1を加熱する装置は、導入ガス11を加熱器12で加熱し、加熱ガスを処理炉5内に吹込む。レーザ光源3から試料1に投射された赤外光の散乱光は、散乱光検出部4によって観測され、その観測値は画像処理装置8で処理されコンピュータ9に入力される。コンピュータ9は入力されたデータに基いて散乱光検出部4の焦点を制御すると共に、XYZステージ2を操作して熱による光学系の歪を補正する。
Claim (excerpt)：
結晶中に赤外光を入射し、その散乱光を検出して、結晶中の欠陥を観察する方法において、結晶試料を加熱しながら観察することを特徴とする結晶欠陥観察方法。
IPC (3)：
G01N 21/49
, G01N 21/00
, G01N 21/35
